江西新款西门康整流桥模块规格尺寸齐全

  ⒈ 额定通态电流（IT）即大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

  ⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

  ⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

  反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

  触发电压VGT 在规定的环境和温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的**小控制极电流和电压 。

  在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的**小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅， 江西新款西门康整流桥模块规格尺寸齐全敢为人先，**科技潮流！

  电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥，整流桥的作用就能通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，通常电源中采用的整流桥.还有单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的，

  整流桥的作用是将极性变化的交流电转化成极性不变的电流，但不能除去交流电中的脉动成份，至于带上负载后电压下降可能是电路中存在电阻，当电流增大时分压增多造成的整流就是把交流整成直流,整流的电路有单相半波整流、单相全波整流、三相半波整流、三相全波整流等等。

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  整流桥的作用是将极性变化的交流电转化成极性不变的电流，但不能除去交流电中的脉动成份，至于带上负载后电压下降可能是电路中存在电阻，当电流增大时分压增多造成的整流就是把交流整成直流,整流的电路有单相半波整流、单相全波整流、三相半波整流、三相全波整流等等。

  为了克服以上问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，IR整流桥模块，电容取100nF。有必要注意一下的是此电阻不能省掉。

  鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通） 。栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。

  应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低它的灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。

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  它是由电源变压器、四只整流二极管D1~4 和负载电阻RL组成。四只整流二极管接成电桥形式，故称桥式整流。

  桥式整流电路的工作原理如图6所示。在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压。

  在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端，在负载RL 上得到另一半波整流电压。桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点，但多用了两只二极管。在半导体器件发展快，成本较低的***，此缺点并不突出，因而桥式整流电路在实际中应用较为***。

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