近日，国家知识产权局公布了一项由上海新傲科技股份有限公司申请的专利，名为“快恢复二极管器件及其形成方法”，公开号为CN119653786A。这项专利的获批标志着上海新傲在半导体制造技术领域取得了重要突破，尤其是在降低快恢复二极管器件的功耗和制造成本方面展现了显著优势。
快恢复二极管（FRD）是电力电子系统中不可或缺的关键器件，大范围的应用于电源、电机驱动和新能源等领域。传统的快恢复二极管在工作过程中存在较高的功耗和制造成本，这一直困扰着行业的发展。上海新傲的这项专利通过优化器件结构和制造工艺，明显降低了功耗和制造成本，为行业带来了新的解决方案。
根据专利摘要，该快恢复二极管器件的形成方法有以下几个关键步骤：首先，生长单晶硅材料并形成硅衬底，硅衬底的氧浓度低于5ppma；其次，采用外延工艺在硅衬底的正面形成外延层；最后，在外延层背离硅衬底的一侧形成正面器件结构。这种创新的工艺不仅提升了器件的性能，还大幅度降低了制造成本。
上海新傲科技股份有限公司成立于2001年，总部在上海市，是一家专注于计算机、通信和其他电子设备制造的企业。公司注册资本为31500万人民币，实缴资本同样为31500万人民币。截至2025年3月，公司共拥有专利信息235条，商标信息3条，行政许可157个，并参与了85次招投标项目。
此次专利的获批不仅是上海新傲科技股份有限公司在技术创新上的重要里程碑，也为整个半导体制造业注入了新的活力。随着快恢复二极管器件的功耗和制造成本的降低，电力电子系统的效率和可靠性将得到逐步提升，为新能源、智能电网等领域的发展提供了坚实的技术支持。
总之，上海新傲科技股份有限公司通过持续的技术创新和研发投入，正在为半导体制造业树立新的标杆。未来，随着更多创新成果的涌现，我们有理由相信，上海新傲将继续引领行业迈向更高的发展水平。
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